弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置單晶 、多晶晶圓和晶錠 壽 命測量裝置用于常規質(zhì)量控制和復雜的材料研發(fā)硅| 化合物半導體| 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦| 外延層[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]
更新時(shí)間：2023-06-15
弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置
單晶 、多晶晶圓和晶錠 壽 命測量裝置
用于常規質(zhì)量控制和復雜的材料研發(fā)
硅| 化合物半導體| 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦| 外延層
[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]
弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置
常規壽命測量、質(zhì)量控制與檢查*的材料研發(fā)
應用案列
+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測定
+ 硼氧含量測定
+ 取決于注入效應的的檢測等
大通 量: >240 bricks/day或>720 wafers/day
測 試 速 度: <4 minutes，156×156×400 mm 標準晶錠
壽命測 試范圍: 20 ns到幾十ms
產(chǎn)量提 升: 1mm的切割標準156×156×400mm標準晶錠
質(zhì) 量 控 制: 專(zhuān)為單晶或多晶硅等工藝和材料的質(zhì)量監控而設計
污染判 斷: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設備中的金屬污染 (Fe)
可靠性: 模塊化，具有更高的可靠性和正常運行時(shí)間 > 99%
重復性: > 99.5%
電阻率 ：電阻率面掃功能，無(wú)需頻繁校準
+ 無(wú)接觸且無(wú)破壞的壽命成像（μPCD / MDP（QQSS )），光電導率，電阻率和p / n檢查，符合半標準SEMI PV9-1110
+ 晶圓切割，熔爐監控，材料優(yōu)化等
*的材料研發(fā)應用案列
+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測定
+ 硼氧含量測定
+ 取決于注入效應的的檢測等
MDPStudio
具有：
› 導出和導入功能
› 用戶(hù)結構的操作系統
› 所有已執行測量的總覽界面
› 樣品參數輸入
› 單點(diǎn)測量，例如注入依賴(lài)的測試
› 面掃功能
› 菜單選項
› 分析功能包
› 線(xiàn)掃及單點(diǎn)瞬態(tài)可視化
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