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    freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀
    點(diǎn)擊次數:979 更新時(shí)間:2021-05-12

    freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀

     微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀對于半導體材料少子壽命,電學(xué)參數和界面陷阱等進(jìn)行非接觸和非破壞性測試。硅| 化合物半導體 | 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦 | 外延層

    半導體材料的基礎研究和開(kāi)發(fā)
    配置選項
    靈敏度:對半導體材料電學(xué)缺陷有高靈敏度
    溫度范圍:液氮(77K)到500K,可選:液氦(4K)或更高的溫度
    衰減常數范圍:20ns到幾十ms
    玷污檢測:電學(xué)陷阱基本性能確定:
    激活能和陷阱的俘獲截面,受溫度和注入水平影響的少子壽命參數等
    重復性:>99.5%,測試時(shí)間< 6 0 分 鐘 ,液氮消耗:2L/run
    靈活性: 從365nm到1480nm,根據不同材料選擇不同波長(cháng)的激發(fā)光源
    輔助功能:基于IP的系統,允許在任何地方進(jìn)行遠程操作和技術(shù)支持

    半導體材料性能研究和開(kāi)發(fā)

    +  半導體材料質(zhì)量控制
    +  缺陷種類(lèi)確定:激活能,俘獲截面等參數

    freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀

    測試原理

    MDpicts采用先進(jìn)的光誘導電流瞬態(tài)譜測試技術(shù)(PICTS)是非接觸測試并具備更高的靈敏度,在各種半導體材料研究中開(kāi)辟了新的應用。這個(gè)技術(shù)對半導體材料中的電學(xué)缺陷行為,可以提供與D L T S 技術(shù)相媲美的靈敏度,并給出載流子陷阱在材料中的主要復合中心。

     

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